WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

produkten

WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

koarte beskriuwing:


  • Model nûmer:WST8205
  • BVSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • ID:5.8A
  • Kanaal:Dual N-kanaal
  • Pakket:SOT-23-6L
  • Produkt Summery:De WST8205 MOSFET wurket op 20 volt, ûnderhâldt 5.8 ampère fan stroom, en hat in wjerstân fan 24 milliohm.De MOSFET bestiet út in Dual N-kanaal en is ferpakt yn SOT-23-6L.
  • Oanfraach:Autoelektronika, LED-ljochten, audio, digitale produkten, lytse húshâldlike apparaten, konsuminteelektronika, beskermjende boards.
  • Produkt Detail

    Oanfraach

    Produkt Tags

    Algemiene beskriuwing

    De WST8205 is in N-Ch MOSFET mei hege prestaasjes trench mei ekstreem hege sellentichtens, dy't poerbêste RDSON- en poartelading leveret foar de measte applikaasjes foar lytse macht wikseljen en lading wikseljen.De WST8205 foldocht oan RoHS- en Green Product-easken mei folsleine goedkarring foar funksjonele betrouberens.

    Features

    Us avansearre technology omfettet ynnovative funksjes dy't dit apparaat ûnderskiede fan oaren op 'e merke.Mei grêften mei hege sellendichtheid makket dizze technology gruttere yntegraasje fan komponinten mooglik, wat liedt ta ferbettere prestaasjes en effisjinsje. Ien opmerklik foardiel fan dit apparaat is har ekstreem lege poartelading.As gefolch hat it minimale enerzjy nedich om te wikseljen tusken syn oan- en útsteaten, wat resulteart yn fermindere enerzjyferbrûk en ferbettere totale effisjinsje.Dit karakteristyk foar lege poartelading makket it in ideale kar foar applikaasjes dy't wikselje mei hege snelheid en krekte kontrôle freegje. Dêrnjonken blinkt ús apparaat út yn it ferminderjen fan Cdv / dt-effekten.Cdv / dt, of it taryf fan feroaring fan drain-to-source spanning oer de tiid, kin feroarsaakje net winske effekten lykas spanning spikes en elektromagnetyske ynterferinsje.Troch dizze effekten effektyf te minimalisearjen, soarget ús apparaat foar betroubere en stabile wurking, sels yn easken en dynamyske omjouwings.Njonken syn technyske feardichheden is dit apparaat ek miljeufreonlik.It is ûntworpen mei duorsumens yn gedachten, mei rekken hâldend mei faktoaren lykas enerzjy-effisjinsje en langstme.Troch operearjen mei uterste enerzjy effisjinsje, dit apparaat minimalisearret syn koalstoffoetôfdruk en draacht by oan in grienere takomst. Gearfetsjend, ús apparaat kombinearret avansearre technology mei hege sel tichtheid grêften, ekstreem lege poarte lading, en treflike reduksje fan Cdv / dt effekten.Mei syn miljeufreonlik ûntwerp leveret it net allinich superieure prestaasjes en effisjinsje, mar slút it ek oan by it groeiende ferlet fan duorsume oplossingen yn 'e wrâld fan hjoed.

    Oanfraach

    Hege frekwinsje Point-of-Load Synchronous Lytse macht switching foar MB / NB / UMPC / VGA Networking DC-DC Power System, Automotive elektroanika, LED-ljochten, audio, digitale produkten, lytse húshâldlike apparaten, konsumint elektroanika, beskermjende boards.

    korrespondearjend materiaal nûmer

    AOS AO6804A, NXP PMDT290UNE, PANJIT PJS6816, Sinopower SM2630DSC, dintek DTS5440, DTS8205, DTS5440, DTS8205, RU8205C6.

    Wichtige parameters

    Symboal Parameter Wurdearring Units
    VDS Drain-boarne Voltage 20 V
    VGS Gate-Boarne Voltage ±12 V
    ID@Tc=25℃ Trochrinnende Drain Strom, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Trochrinnende Drain Strom, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Pulsearre Drain Strom 2 16 A
    PD@TA=25℃ Totale Power Dissipation 3 2.1 W
    TSTG Storage Temperatur Range -55 oant 150
    TJ Operating Junction temperatuerberik -55 oant 150
    Symboal Parameter Betingsten Min. Typ. Max. Ienheid
    BVDS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperatuer koëffisjint Referinsje nei 25 ℃, ID = 1mA --- 0.022 --- V/℃
    RDS(ON) Statyske drain-boarne On-resistance2 VGS=4.5V, ID=5.5A --- 24 28
           
        VGS=2.5V, ID=3.5A --- 30 45  
    VGS (de) Gate Threshold Voltage VGS=VDS , ID =250uA 0.5 0.7 1.2 V
               
    △VGS(th) VGS (th) temperatuer koëffisjint   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Drain-Boarne Leakage Current VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Boarne Leakage Current VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Gate Ferset VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Totale Gate Charge (4.5V) VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Gate-Boarne Charge --- 1.4 2.0
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.2 3.2
    Td (oan) Turn-On fertraging Tiid VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Tiid om op te stean --- 34 63
    Td (út) Turn-Off fertraging Tiid --- 22 46
    Tf Fall Tiid --- 9.0 18.4
    Ciss Input Capacitance VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Output Capacitance --- 69 98
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 61 88

  • Foarige:
  • Folgjende:

  • Skriuw jo berjocht hjir en stjoer it nei ús