Poartekapasitânsje, oan-ferset en oare parameters fan MOSFET's

I. Gate capacitance

Gate capacitance benammen omfiemet input capacitance (Ciss), output capacitance (Coss) en reverse transfer capacitance (Crss, ek bekend as Miller capacitance).

 

Ynfierkapasiteit (Ciss):

 

DEFINISJON: De input capacitance is de totale capacitance tusken de poarte en de boarne en drain, en bestiet út de poarte boarne capacitance (Cgs) en de poarte drain capacitance (Cgd) ferbûn parallel, ie Ciss = Cgs + Cgd.

 

Funksje: De ynfierkapasitânsje beynfloedet de skeakelsnelheid fan 'e MOSFET. Doe't de ynfier capacitance wurdt opladen oan in drompel voltage, it apparaat kin wurde ynskeakele; ôflaat oan in bepaalde wearde, it apparaat kin wurde útskeakele. Dêrom, it driuwende circuit en Ciss hawwe in direkte ynfloed op it apparaat syn turn-on en turn-off fertraging.

 

Output capacitance (Coss):

Definysje: De útfier capacitance is de totale capacitance tusken de drain en de boarne, en bestiet út de drain-boarne capacitance (Cds) en de gate-drain capacitance (Cgd) yn parallel, ie Coss = Cds + Cgd.

 

Rol: Yn applikaasjes foar sêft wikseljen is Coss heul wichtich, om't it resonânsje yn it circuit kin feroarsaakje.

 

Reverse Transmission Capacitance (Crss):

Definysje: De omkearde oerdrachtkapasitânsje is lykweardich oan de poartedrainkapasitânsje (Cgd) en wurdt faak oantsjutten as de Miller-kapasitânsje.

 

Rol: De reverse transfer capacitance is in wichtige parameter foar de opkomst en falle tiden fan de switch, en it hat ek ynfloed op de turn-off fertraging tiid. De kapasitanswearde nimt ôf as de drain-boarne spanning ferheget.

II. On-resistance (Rds (on))

 

Definysje: On-resistance is de wjerstân tusken de boarne en drain fan in MOSFET yn 'e on-state ûnder spesifike omstannichheden (bgl. spesifike lekstroom, poartespanning en temperatuer).

 

Beynfloedzjende faktoaren: On-resistinsje is gjin fêste wearde, it wurdt beynfloede troch temperatuer, hoe heger de temperatuer, hoe grutter de Rds(on). Derneist, hoe heger de wjerstânspanning, hoe dikker de ynterne struktuer fan 'e MOSFET, hoe heger de oerienkommende oan-ferset.

 

 

Belang: By it ûntwerpen fan in skeakeljen fan stroomfoarsjenning of bestjoerderskring, is it needsaaklik om de oan-ferset fan 'e MOSFET te beskôgjen, om't de stroom dy't troch de MOSFET streamt enerzjy sil konsumearje op dizze wjerstân, en dit diel fan' e konsumearre enerzjy wurdt neamd op- ferset ferlies. Selektearje in MOSFET mei lege oan-ferset kin it ferlies oan-ferset ferminderje.

 

Tredde, oare wichtige parameters

Neist de poartekapasitânsje en oan-ferset hat de MOSFET wat oare wichtige parameters lykas:

V(BR)DSS (Drain Source Breakdown Voltage):De drain boarne spanning wêrby't de hjoeddeiske streamt troch de drain berikt in spesifike wearde op in spesifike temperatuer en mei de poarte boarne shorted. Boppe dizze wearde kin de buis beskeadige wurde.

 

VGS(th) (drompelspanning):De poartespanning dy't nedich is om in liedend kanaal te begjinnen te foarmjen tusken de boarne en drain. Foar standert N-kanaal MOSFET's is VT sawat 3 oant 6V.

 

ID (maksimale trochgeande drainstream):De maksimale trochgeande DC-stream dy't kin wurde tastien troch de chip by de maksimum rated junction temperatuer.

 

IDM (Maximum Pulsed Drain Current):Wjerspegelet it nivo fan pulsearre stroom dat it apparaat kin omgean, mei pulsearre stroom folle heger as trochgeande DC-stream.

 

PD (maksimale macht dissipaasje):it apparaat kin dissipearje de maksimale macht konsumpsje.

 

Gearfetsjend binne de poartekapasitânsje, oan-ferset en oare parameters fan in MOSFET kritysk foar har prestaasjes en tapassing, en moatte wurde selektearre en ûntwurpen neffens spesifike applikaasjescenario's en easken.