Lytse spanning MOSFET seleksje is in hiel wichtich part fan deMOSFETseleksje is net goed kin beynfloedzje de effisjinsje en kosten fan it hiele circuit, mar ek sil bringe in soad problemen foar de yngenieurs, dat hoe goed selektearje de MOSFET?
Kieze fan N-kanaal of P-kanaal De earste stap yn it selektearjen fan it juste apparaat foar in ûntwerp is om te besluten oft jo in N-kanaal of P-kanaal MOSFET brûke Yn in typyske machtapplikaasje foarmet in MOSFET in leechspanningsside-skeakel as de MOSFET is grûn en de lading is ferbûn mei de romp spanning. Yn in leechspanningsside-skeakel moat in N-kanaal MOSFET brûkt wurde fanwege it beskôgjen fan 'e spanning dy't nedich is om it apparaat út te skeakeljen of yn te skeakeljen.
Wannear't de MOSFET is ferbûn mei de bus en de lading wurdt grûn, de hege spanning kant switch wurdt brûkt. P-kanaal MOSFETs wurde meastal brûkt yn dizze topology, wer foar spanning drive ôfwagings. Bepale de hjoeddeistige wurdearring. Selektearje de hjoeddeistige beoardieling fan 'e MOSFET. Ofhinklik fan 'e sirkwystruktuer moat dizze aktuele wurdearring de maksimale stroom wêze dy't de lading ûnder alle omstannichheden kin ferneare.
Fergelykber mei it gefal fan spanning, de ûntwerper moat soargje dat de selektearreMOSFETkin dizze aktuele wurdearring ferneare, sels as it systeem spikestrommen generearret. De twa hjoeddeistige gefallen om te beskôgjen binne trochgeande modus en pulsspikes. Yn trochrinnende conduction modus, de MOSFET is yn steady state, doe't stroom giet kontinu troch it apparaat.
Pulse spikes binne as d'r grutte surges (as spikes fan stroom) binne dy't troch it apparaat streame. Sadree't de maksimale stroom ûnder dizze betingsten is bepaald, is it gewoan in kwestje fan direkt in apparaat te selektearjen dat dizze maksimale stroom kin ferneare. It bepalen fan termyske easken It selektearjen fan in MOSFET fereasket ek it berekkenjen fan de termyske easken fan it systeem. De ûntwerper moat twa ferskillende senario's beskôgje, it slimste gefal en it wiere gefal. It wurdt oanrikkemandearre dat de slimste berekkening brûkt wurdt, om't it in gruttere feiligensmarzje leveret en derfoar soarget dat it systeem net mislearret. D'r binne ek wat mjittingen om bewust te wêzen op it MOSFET-gegevensblêd; lykas de termyske wjerstân tusken de semiconductor junction fan it pakket apparaat en de omjouwing, en de maksimale junction temperatuer. Beslút oer wikselprestaasjes, de lêste stap by it selektearjen fan in MOSFET is it besluten oer de wikselprestaasjes fan 'eMOSFET.
D'r binne in protte parameters dy't ynfloed hawwe op wikselprestaasjes, mar de wichtichste binne poarte / drain, poarte / boarne en drain- / boarnekapasitânsje. Dizze kapasitanen meitsje skeakelferlies yn it apparaat om't se by elke wikseling moatte wurde opladen. de wikselsnelheid fan 'e MOSFET wurdt dêrom fermindere en de effisjinsje fan it apparaat nimt ôf. Om de totale apparaatferlies te berekkenjen by it wikseljen, moat de ûntwerper de oanslachferlies (Eon) en de útskeakeljeferlies berekkenje.
Wannear't de wearde fan vGS is lyts, de mooglikheid om te absorbearjen elektroanen is net sterk, leakage - boarne tusken de noch gjin conductive kanaal presintearret, vGS ferheging, opnomd yn de P substraat bûtenste oerflak laach fan elektroanen op de tanimming, doe't de vGS berikt in bepaalde wearde, dizze elektroanen yn 'e poarte tichtby de P substraat uterlik foarmet in tinne laach fan N-type, en mei de twa N + sône ferbûn As vGS berikt in bepaalde wearde, dizze elektroanen yn de poarte tichtby de P substraat uterlik sil foarmje in N-type tinne laach, en ferbûn mei de twa N + regio, yn de drain - boarne foarmje N-type conductive kanaal, syn conductive type en it tsjinoerstelde fan de P substraat, constituting de anty-type laach. vGS is grutter, de rol fan 'e semiconductor uterlik fan' e sterker it elektryske fjild, de opname fan elektroanen oan 'e bûtenkant fan' e P substraat, hoe mear de conductive kanaal is dikker, de legere it kanaal ferset. Dat is, N-kanaal MOSFET yn vGS <VT, kin gjin konduktyf kanaal foarmje, de buis is yn 'e cutoff-status. Sa lang as wannear vGS ≥ VT, allinnich as it kanaal gearstalling. Neidat it kanaal is gearstald, wurdt in drain stroom generearre troch it tafoegjen fan in foarút voltage vDS tusken de drain - boarne.
Mar Vgs bliuwt te fergrutsjen, lit ús sizze IRFPS40N60KVgs = 100V doe't Vds = 0 en Vds = 400V, twa betingsten, de buis funksje te bringen hokker effekt, as ferbaarnd, de oarsaak en de ynterne meganisme fan it proses is hoe te Vgs ferheging sil ferminderje Rds (oan) ferminderje switching ferliezen, mar tagelyk sil tanimme de Qg, sadat de turn-on ferlies wurdt grutter, beynfloedet de effisjinsje fan de MOSFET GS spanning troch Vgg nei Cgs opladen en opstean, oankaam by de ûnderhâld spanning Vth , MOSFET start conductive; MOSFET DS hjoeddeistige ferheging, Millier capacitance yn it ynterval fanwege de ûntslach fan DS capacitance en ûntslach, GS capacitance opladen hat net folle ynfloed; Qg = Cgs * Vgs, mar de lading sil fierder te bouwen up.
De DS-spanning fan 'e MOSFET sakket nei deselde spanning as Vgs, de Millier-kapasitânsje nimt sterk ta, de eksterne oandriuwspanning hâldt op mei it opladen fan' e Millier-kapasitânsje, de spanning fan 'e GS-kapasitânsje bliuwt net feroare, de spanning op 'e Millier-kapasitânsje nimt ta, wylst de spanning op de DS capacitance bliuwt ôfnimme; de DS-spanning fan 'e MOSFET nimt ôf nei de spanning by verzadigde konduksje, de Millier-kapasitânsje wurdt lytser. spanning, en de spanning op 'e GS capacitance nimt ta; de spanningsmjittingskanalen binne de ynlânske 3D01, 4D01, en Nissan's 3SK-searje.
G-pole (poarte) bepaling: brûk de diode gear fan de multimeter. As in foet en de oare twa fuotten tusken de positive en negative spanningsfal grutter binne as 2V, dat is, it display "1", is dizze foet de poarte G. En wikselje dan de pinne om de rest fan 'e twa fuotten te mjitten, de spanningsfal is dy tiid lyts, de swarte pinne is ferbûn mei de D-poal (drain), de reade pinne is ferbûn mei de S-pole (boarne).
Post tiid: Apr-26-2024
