Field Effect Transistor ôfkoarte asMOSFET.Der binne twa haadtypen: knooppunt fjild effekt buizen en metaal-oxide semiconductor fjild effekt buizen. De MOSFET is ek bekend as in unipolêre transistor mei in mearderheid fan dragers belutsen by de konduktiviteit. Se binne spanning-kontrolearre semiconductor apparaten. Troch syn hege ynputresistinsje, lege lûd, leech enerzjyferbrûk en oare skaaimerken, makket it in sterke konkurrint foar bipolêre transistors en krêfttransistors.
I. Main parameters fan MOSFET
1, DC parameters
Saturation drain stroom kin wurde definiearre as de drain stroom oerienkomt mei as de spanning tusken poarte en boarne is gelyk oan nul en de spanning tusken drain en boarne is grutter as de pinch-off spanning.
Pinch-off spanning UP: De UGS nedich om de ID te ferminderjen nei in lytse stroom as de UDS wis is;
Turn-on voltage UT: UGS nedich om ID nei in bepaalde wearde te bringen as UDS wis is.
2, AC parameters
Low-frekwinsje transconductance gm: Beskriuwt de kontrôle effekt fan poarte en boarne spanning op drain hjoeddeistige.
Inter-pole capacitance: de kapasitânsje tusken de trije elektroden fan 'e MOSFET, hoe lytser de wearde, hoe better de prestaasjes.
3, Limit parameters
Drain, boarne ôfbraak voltage: doe't de drain streamt skerp, it sil produsearje lawine ôfbraak doe't de UDS.
Gate breakdown voltage: knooppunt fjild effekt tube normale operaasje, poarte en boarne tusken de PN knooppunt yn 'e omkearde bias steat, de hjoeddeiske is te grut te produsearje ôfbraak.
II. Skaaimerken fanMOSFETs
MOSFET hat in amplification funksje en kin foarmje in fersterke circuit. Yn ferliking mei in triode hat it de folgjende skaaimerken.
(1) De MOSFET is in spanning kontrolearre apparaat, en it potinsjeel wurdt regele troch UGS;
(2) De stroom by de yngong fan 'e MOSFET is ekstreem lyts, sadat syn ynputresistinsje tige heech is;
(3) De temperatuerstabiliteit is goed om't it mearderheidsdragers brûkt foar konduktiviteit;
(4) De spanning amplification koëffisjint fan syn amplification circuit is lytser as dy fan in triode;
(5) It is mear resistint foar strieling.
Tredde,MOSFET en transistor ferliking
(1) MOSFET boarne, poarte, drain en triode boarne, basis, set punt pole komt oerien mei de rol fan ferlykbere.
(2) MOSFET is in spanning-kontrolearre aktuele apparaat, de amplifikaasjekoëffisjint is lyts, it amplifikaasjefermogen is min; triode is in stroom-kontrolearre spanning apparaat, de amplification fermogen is sterk.
(3) MOSFET-poarte nimt yn prinsipe gjin stroom; en triode wurk, de basis sil absorbearje in bepaalde stroom. Dêrom, de MOSFET poarte input ferset is heger as de triode input ferset.
(4) It conductive proses fan MOSFET hat de dielname fan polytron, en de triode hat de dielname fan twa soarten dragers, polytron en oligotron, en syn konsintraasje fan oligotron wurdt sterk beynfloede troch de temperatuer, strieling en oare faktoaren, dêrom, MOSFET hat bettere temperatuerstabiliteit en strielingsresistinsje dan transistor. MOSFET moat wurde selektearre as de omjouwingsomstannichheden in protte feroarje.
(5) As MOSFET ferbûn is mei it boarnemetaal en it substraat, kinne de boarne en drain útwiksele wurde en de skaaimerken feroarje net folle, wylst as de samler en emitter fan 'e transistor útwiksele wurde, binne de skaaimerken oars en de β-wearde wurdt fermindere.
(6) De lûdsfiguer fan MOSFET is lyts.
(7) MOSFET en triode kinne wurde gearstald út in ferskaat oan fersterker circuits en switching circuits, mar de eardere verbruikt minder macht, hege termyske stabiliteit, breed oanbod fan oanbod spanning, dus it wurdt in soad brûkt yn grutskalige en ultra-grutte- skaal yntegrearre circuits.
(8) De op-ferset fan 'e triode is grut, en de op-ferset fan' e MOSFET is lyts, sadat MOSFET's algemien brûkt wurde as skeakels mei hegere effisjinsje.
Post tiid: mei-16-2024
