MOSFET Anti-Reverse Circuit

Earst, it basisprinsipe fan 'e MOSFET anty-reverse circuit

MOSFET anty-reverse circuit mei de skeakeleigenskippen fan 'e MOSFET, troch it kontrolearjen fan de poarte (G) spanning om it circuit oan en út te realisearjen. As de polariteit fan 'e stroomfoarsjenning korrekt is, makket de poartespanning de MOSFET yn' e konduksjestatus, de stroom kin normaal streame; as de polariteit fan 'e stroomfoarsjenning wurdt omkeard, kin de poartespanning de MOSFET-gelieding net meitsje, sadat it circuit ôfsnien wurdt.

Twad, de spesifike realisaasje fan it MOSFET anty-reverse circuit

1. N-kanaal MOSFET anti-reverse circuit

N-kanaal MOSFET's wurde normaal brûkt om anty-reverse circuits te realisearjen. Yn it circuit is de boarne (S) fan 'e N-kanaal MOSFET ferbûn oan' e negative terminal fan 'e lading, de drain (D) is ferbûn mei de positive terminal fan' e stroomfoarsjenning, en de poarte (G) is ferbûn mei de negative terminal fan 'e macht oanbod troch in wjerstân of regele troch in kontrôle circuit.

Foarút ferbining: de positive terminal fan 'e macht oanbod is ferbûn oan D, en de negative terminal is ferbûn mei S. Op dit stuit, de wjerstân jout de poarte boarne spanning (VGS) foar de MOSFET, en as VGS is grutter as de drompel spanning (Vth) fan 'e MOSFET, de MOSFET fiert, en de stroom streamt fan' e positive terminal fan 'e stroomfoarsjenning nei de lading troch de MOSFET.

Wannear't omkeard: de positive terminal fan 'e stroomfoarsjenning is ferbûn mei S, en de negative terminal is ferbûn mei D. Op dit stuit is de MOSFET yn in cutoff-tastân en it circuit wurdt loskeppele om de lading te beskermjen fan skea, om't de poartespanning is net yn steat om in foldwaande VGS te foarmjen om de MOSFET-gedrach te meitsjen (VGS kin minder wêze as 0 of folle minder as Vth).

2. Rol fan Auxiliary Components

Wjerstân: Wurdt brûkt om poarteboarnespanning foar MOSFET te leverjen en poartestream te beheinen om skea fan poarte-oerstream te foarkommen.

Spanningsregulator: in opsjoneel komponint dat brûkt wurdt om te foarkommen dat de spanning fan 'e poarteboarne te heech is en de MOSFET ôfbrekke.

Parasitêre diode: In parasitêre diode (lichemsdiode) bestiet binnen de MOSFET, mar syn effekt wurdt normaal negearre of foarkommen troch circuitûntwerp om syn skealik effekt te foarkommen yn anty-reverse circuits.

Tredde, de foardielen fan it MOSFET anty-reverse circuit

 

Leech ferlies: MOSFET on-resistance is lyts, de on-resistance spanning wurdt fermindere, sadat it circuit ferlies lyts is.

 

 

Hege betrouberens: anty-reverse funksje kin realisearre wurde troch in ienfâldich circuitûntwerp, en de MOSFET sels hat in hege graad fan betrouberens.

 

Fleksibiliteit: ferskate MOSFET-modellen en circuitûntwerpen kinne wurde selektearre om te foldwaan oan ferskate tapassingseasken.

 

Foarsoarchsmaatregels

 

Yn it ûntwerp fan MOSFET anty-reverse circuit, moatte jo derfoar soargje dat de seleksje fan MOSFETs te foldwaan oan de applikaasje easken, ynklusyf spanning, stroom, switching snelheid en oare parameters.

 

It is needsaaklik om de ynfloed fan oare komponinten yn it circuit te beskôgjen, lykas parasitêre kapasitânsje, parasitêre induktânsje, ensfh., Om neidielige effekten op 'e circuitprestaasjes te foarkommen.

 

Yn praktyske tapassingen binne adekwate testen en ferifikaasje ek ferplicht om de stabiliteit en betrouberens fan it circuit te garandearjen.

 

Gearfetsjend is it MOSFET-anty-reverse-sirkwy in ienfâldich, betrouber en leech-ferlies beskermingsskema foar stroomfoarsjenning dat in protte brûkt wurdt yn in ferskaat oan tapassingen dy't de previnsje fan omkearde machtpolariteit fereaskje.