Metal-Oxide-Semiconductor struktuer fan de kristal transistor algemien bekend asMOSFET, dêr't MOSFETs wurde ferdield yn P-type MOSFETs en N-type MOSFETs. De yntegreare circuits gearstald út MOSFETs wurde ek wol MOSFET-yntegreare circuits neamd, en de nau besibbe MOSFET-yntegreare circuits gearstald út PMOSFETs enNMOSFETs wurde neamd CMOSFET yntegrearre circuits.
In MOSFET besteande út in p-type substraat en twa n-ferspriedende gebieten mei hege konsintraasjewearden wurdt in n-kanaal neamdMOSFET, en de conductive kanaal feroarsake troch in n-type conductive kanaal wurdt feroarsake troch de n-spreading paden yn de twa n-spreading paden mei hege konsintraasje wearden doe't de buis conducts. n-kanaal thickened MOSFETs hawwe de n-kanaal feroarsake troch in conductive kanaal doe't in positive directional bias wurdt ferhege safolle mooglik by de poarte en allinnich as de poarte boarne operaasje fereasket in bestjoeringssysteem spanning boppe de drompel voltage. n-kanaal útputting MOSFETs binne dyjingen dy't net ree om de poarte voltage (gate boarne operaasje fereasket in bestjoeringssysteem spanning fan nul). In n-kanaal ljocht útputting MOSFET is in n-kanaal MOSFET dêr't de conductive kanaal wurdt feroarsake as de poarte spanning (de poarte boarne bestjoeringssysteem eask bestjoeringssysteem spanning is nul) is net taret.
NMOSFET-yntegreare sirkwy binne N-kanaal MOSFET-netwurksirkwy, NMOSFET-yntegreare circuits, de ynputresistinsje is heul heech, de grutte mearderheid hoecht de opname fan krêftstream net te fertarren, en dus CMOSFET- en NMOSFET-yntegreare circuits ferbûn sûnder hoege te nimmen yn rekkenje de lading fan macht flow.NMOSFET yntegrearre circuits, de grutte mearderheid fan de seleksje fan in single-groep positive switching macht oanbod circuit stroomfoarsjenning circuits De mearderheid fan NMOSFET yntegrearre circuits brûke in inkele positive switching Netzteil circuit Netzteil circuit, en om 9v mear. CMOSFET yntegrearre circuits moatte allinnich brûke deselde switching Netzteil circuit Netzteil as de NMOSFET yntegrearre circuits, kin wurde ferbûn mei NMOSFET yntegrearre circuits fuortendaliks. Lykwols, fan NMOSFET nei CMOSFET fuortendaliks ferbûn, om't de NMOSFET útfier pull-up wjerstân minder is as de CMOSFET yntegreare circuit keyed pull-up wjerstân, dus besykje te passen in potinsjele ferskil pull-up wjerstân R, de wearde fan de wjerstân R is algemien 2 oan 100KΩ.
Konstruksje fan N-kanaal ferdikte MOSFETs
Op in P-type silisium substraat mei in lege doping konsintraasje wearde, twa N regio mei in hege doping konsintraasje wearde wurde makke, en twa elektroden wurde lutsen út aluminium metaal te tsjinjen as de drain d en de boarne s, respektivelik.
Dan yn de semiconductor komponint oerflak maskering in hiel tinne laach fan silica isolearjende buis, yn de drain - boarne isolearjende buis tusken de drain en boarne fan in oare aluminium elektrodes, as de poarte g.
Yn it substraat ek liede út in elektrodes B, dy't bestiet út in N-kanaal dikke MOSFET. MOSFET-boarne en substraat binne oer it generaal mei-inoar ferbûn, de grutte mearderheid fan 'e piip yn it fabryk is der al lang mei ferbûn, har poarte en oare elektroden binne isolearre tusken de casing.
Post tiid: mei-26-2024
