As ien fan 'e meast basale apparaten yn' e semiconductor fjild, MOSFET wurdt in soad brûkt yn sawol IC design as board-nivo circuit applikaasjes. Dus hoefolle witte jo oer de ferskate parameters fan MOSFET? As spesjalist yn medium en leechspanning MOSFET's,Olukeysil jo de ferskate parameters fan MOSFET's yn detail útlizze!
VDSS maksimum drain-boarne wjerstean spanning
De drain-boarne spanning doe't de streamende drain hjoeddeistige berikt in spesifike wearde (surges skerp) ûnder in spesifike temperatuer en poarte-boarne koartsluting. De drain-boarne-spanning wurdt yn dit gefal ek wol lawine-ôfbraakspanning neamd. VDSS hat in positive temperatuerkoëffisjint. By -50 °C is VDSS sawat 90% fan dat by 25 °C. Troch de útkearing meastal oerbleaun yn normale produksje, de lawine ôfbraak spanning fanMOSFETis altyd grutter dan de nominale nominale spanning.
De waarme herinnering fan Olukey: Om produktbetrouberens te garandearjen, ûnder de minste arbeidsomstannichheden, wurdt it oanrikkemandearre dat de wurkspanning net mear dan 80 ~ 90% fan 'e nominearre wearde moat.
VGSS maksimum poarte-boarne wjerstean spanning
It ferwiist nei de VGS-wearde as de omkearstroom tusken poarte en boarne skerp begjint te ferheegjen. It oersjen fan dizze spanningswearde sil dielektryske ôfbraak fan 'e poarte oksidelaach feroarsaakje, wat in destruktyf en ûnomkearbere ôfbraak is.
ID maksimum drain-boarne hjoeddeistige
It ferwiist nei de maksimale stroom dy't tastien is tusken de drain en de boarne as de fjildeffekttransistor normaal wurket. De wurkstroom fan 'e MOSFET moat ID net mear wêze. Dizze parameter sil derate as junction temperatuer nimt ta.
IDM maksimum puls drain-boarne hjoeddeistige
Wjerspegelet it nivo fan pulsstream dat it apparaat kin omgean. Dizze parameter sil ôfnimme as de knooppunttemperatuer ferheget. As dizze parameter te lyts is, kin it systeem it risiko hawwe om ûnder OCP-testen ôfbrutsen te wurden troch stroom.
PD maksimum macht dissipation
It ferwiist nei de maksimale drain-boarne-powerdissipaasje tastien sûnder de prestaasjes fan 'e fjildeffekttransistor te ferleegjen. As it wurdt brûkt, moat it eigentlike enerzjyferbrûk fan 'e fjildeffekttransistor minder wêze as dat fan' e PDSM en in bepaalde marzje litte. Dizze parameter ferminderet oer it generaal as knooppunttemperatuer ferheget.
TJ, TSTG bestjoeringssysteem temperatuer en opslach omjouwing temperatuer berik
Dizze twa parameters kalibrearje it knooppunttemperatuerberik tastien troch de bestjoerings- en opslachomjouwing fan it apparaat. Dit temperatuerberik is ynsteld om te foldwaan oan de minimale easken foar it libben fan it apparaat. As it apparaat wurdt garandearre te operearjen binnen dit temperatuer berik, syn wurksume libben wurdt gâns ferlingd.
Post tiid: Dec-15-2023
