Wat binne de fjouwer regio's fan in MOSFET?

 

De fjouwer regio's fan in N-kanaal ferbettering MOSFET

(1) Fariabel ferset regio (ek wol unsaturated regio neamd)

Ucs" Ucs (th) (ynskeakele spanning), uDs" UGs-Ucs (th), is de regio oan de linkerkant fan de preclamped trace yn de figuer dêr't it kanaal wurdt ynskeakele. De wearde fan UD's is lyts yn dizze regio, en it kanaalresistinsje wurdt yn prinsipe allinich regele troch UG's. As uGs wis is, ip en uDs yn in lineêre relaasje, wurdt de regio benadere as in set fan rjochte linen. Op dit stuit, it fjild effekt buis D, S tusken it ekwivalint fan in spanning UGS

Regele troch de spanning UGS fariabele ferset.

(2) konstante hjoeddeistige regio (ek bekend as sêdingsregio, amplifikaasjeregio, aktive regio)

Ucs ≥ Ucs (h) en Ubs ≥ UcsUssth), foar de figuer fan 'e rjochterkant fan' e pre-pinch off spoar, mar noch net ôfbrutsen yn 'e regio, yn' e regio, as de uGs moatte wêze, ib hast net feroarje mei de UDs, is in konstante-aktuele skaaimerken. i wurdt allinich regele troch de UG's, dan is de MOSFETD, S lykweardich oan in spanning uGs-kontrôle fan 'e hjoeddeistige boarne. MOSFET wurdt brûkt yn amplification circuits, algemien op it wurk fan 'e MOSFET D, S is lykweardich oan in spanning uGs kontrôle hjoeddeistige boarne. MOSFET brûkt yn amplification circuits, oer it generaal wurkje yn 'e regio, dus ek bekend as it amplification gebiet.

(3) Clip-off gebiet (ek wol cut-off gebiet neamd)

Clip-off gebiet (ek bekend as cut-off gebiet) om te foldwaan oan de ucs "Ues (th) foar de figuer tichtby de horizontale as fan 'e regio, it kanaal is allegear ôfklemd, bekend as de folsleine klip off, io = 0 , de buis wurket net.

(4) ôfbraak sône lokaasje

De ôfbraakregio leit yn 'e regio oan' e rjochterkant fan 'e figuer. Mei de tanimmende UD's wurdt it PN-knooppunt ûnderwurpen oan te folle omkearspanning en ôfbraak, ip nimt skerp ta. De buis moat wurde betsjinne om foar te kommen dat se wurkje yn 'e ôfbraakregio. De oerdracht karakteristike kromme kin ôflaat wurde fan de útfier karakteristike kromme. Op de metoade brûkt as in grafyk te finen. Bygelyks, yn figuer 3 (a) foar Ubs = 6V fertikale line, syn krusing mei de ferskate bochten oerienkommende mei de i, Us wearden yn de ib- Uss koördinaten ferbûn mei de kromme, dat is, te krijen de oerdracht karakteristike kromme.

Parameters fanMOSFET

D'r binne in protte parameters fan MOSFET, ynklusyf DC-parameters, AC-parameters en limytparameters, mar allinich de folgjende haadparameters moatte wurde besoarge yn mienskiplik gebrûk: verzadigde drain-boarnestroom IDSS pinch-off spanning Up, (knooppunt-type buizen en útputting -type isolearre poarte buizen, of ynskeakele spanning UT (fersterke isolearre poarte buizen), trans-conductance gm, lekkage-boarne ôfbraak spanning BUDS, maksimale dissipated macht PDSM, en maksimale drain-boarne hjoeddeistige IDSM.

(1) Verzadigde drainstrom

De verzadigde drainstroom IDSS is de drainstroom yn in isolearre poarte MOSFET fan knooppunt of útputtingstype as de poartespanning UGS = 0.

(2) Clip-off spanning

De pinch-off spanning UP is de poarte spanning yn in knooppunt-type of útputting-type isolearre-poarte MOSFET dy't krekt snijt ôf tusken de drain en boarne. Lykas werjûn yn 4-25 foar de N-kanaal buis UGS in ID-kromme, kin wurde begrepen om de betsjutting fan IDSS en UP te sjen

MOSFET fjouwer regio's

(3) Turn-on spanning

De ynskeakele spanning UT is de poartespanning yn in fersterke MOSFET mei isolearre poarte dy't de inter-drain-boarne gewoan konduktyf makket.

(4) Transkonduktinsje

De transconductance gm is de kontrôle fermogen fan 'e poarte boarne spanning UGS op' e drain hjoeddeistige ID, ie, de ferhâlding fan de feroaring yn 'e drain hjoeddeistige ID oan' e feroaring yn 'e poarte boarne spanning UGS. 9m is in wichtige parameter weighing de amplification fermogen fan deMOSFET.

(5) Drain boarne ôfbraak spanning

Drain boarne ôfbraak voltage BUDS ferwiist nei de poarte boarne voltage UGS wis, MOSFET normale operaasje kin akseptearje de maksimale drain boarne voltage. Dit is in limyt parameter, tafoege oan de MOSFET bestjoeringssysteem spanning moat wêze minder as BUDS.

(6) Maksimum Power Dissipation

Maksimum macht dissipation PDSM is ek in limyt parameter, ferwiist nei deMOSFETprestaasjes net efterút as de maksimum tastiene lekkage boarne macht dissipation. By it brûken fan de MOSFET moat praktyske enerzjyferbrûk minder wêze dan de PDSM en in bepaalde marzje litte.

(7) Maksimum Drain Strom

Maksimum leakage hjoeddeistige IDSM is in oare limyt parameter, ferwiist nei de normale wurking fan de MOSFET, de leakage boarne fan de maksimale hjoeddeistige tastien te gean troch de MOSFET syn bestjoeringssysteem stroom moat net mear as de IDSM.

MOSFET Operating Principle

It bestjoeringsprinsipe fan MOSFET (N-kanaal ferbettering MOSFET) is om VGS te brûken om it bedrach fan "induktive lading" te kontrolearjen, om de betingst fan it konduktive kanaal te feroarjen dat wurdt foarme troch dizze "induktive lading", en dan it doel te berikken. fan it kontrolearjen fan de drainstream. It doel is om de drainstream te kontrolearjen. By it meitsjen fan buizen, troch it proses fan it meitsjen fan in grut oantal positive ioanen yn 'e isolearjende laach, dus yn' e oare kant fan 'e ynterface kinne wurde feroarsake mear negative ladingen, dizze negative ladingen kinne wurde feroarsake.

As de poartespanning feroaret, feroaret ek it bedrach fan lading dy't yn it kanaal feroarsake wurdt, feroaret ek de breedte fan it liedende kanaal, en dus feroaret de drainstroom-ID mei de poartespanning.

MOSFET rol

I. MOSFET kin tapast wurde op amplification. Fanwegen de hege ynfierimpedânsje fan 'e MOSFET-fersterker kin de koppelingskondensator in lytsere kapasiteit wêze, sûnder it gebrûk fan elektrolytyske kondensatoren.

Twadder is de hege ynfierimpedânsje fan MOSFET tige geskikt foar impedânsjekonverzje. Faak brûkt yn multi-stage fersterker ynfier poadium foar impedance konverzje.

MOSFET kin brûkt wurde as in fariabele wjerstân.

Fjirde kin MOSFET maklik brûkt wurde as in konstante aktuele boarne.

Fyfde, MOSFET kin brûkt wurde as in elektroanyske switch.