Dit is in pakketMOSFETpyroelektryske ynfraread sensor. It rjochthoekige frame is it sensorfinster. De G pin is de grûn terminal, de D pin is de ynterne MOSFET drain, en de S pin is de ynterne MOSFET boarne. Yn it circuit is G ferbûn mei de grûn, D is ferbûn mei de positive stroomfoarsjenning, ynfraread sinjalen wurde ynfierd út it finster, en elektryske sinjalen wurde útfierd fan S.
Oardielspoarte G
De MOS-bestjoerder spilet benammen de rol fan golffoarmfoarming en rydferbettering: as de G-sinjaalgolffoarm fan 'eMOSFETis net steil genôch, it sil feroarsaakje in grut bedrach fan macht ferlies yn it wikseljen poadium. Syn kant effekt is te ferminderjen it circuit konverzje effisjinsje. De MOSFET sil swiere koarts hawwe en maklik beskeadige wurde troch waarmte. D'r is in bepaalde kapasiteit tusken MOSFETGS. , As de G-sinjaal rydfermogen net genôch is, sil it de sprongtiid fan 'e golffoarm serieus beynfloedzje.
Koartslute de GS-poal, selektearje it R × 1-nivo fan 'e multimeter, ferbine de swarte testlieding oan' e S-poal, en de reade testlieding oan 'e D-peal. De wjerstân moat in pear Ω oant mear as tsien Ω wêze. As it wurdt fûn dat de wjerstân fan in bepaalde pin en syn twa pins binne ûneinich, en it is noch ûneinich nei it útwikseljen fan de test leads, it wurdt befêstige dat dizze pin is de G pole, omdat it is isolearre út de oare twa pins.
Bepale de boarne S en drain D
Set de multimeter op R × 1k en mjit de wjerstân tusken de trije pins respektivelik. Brûk de metoade foar útwikseling test lead om de wjerstân twa kear te mjitten. De iene mei in legere wjerstânswearde (algemien in pear tûzen Ω oant mear as tsien tûzen Ω) is de foarút ferset. Op dit stuit is de swarte testlieding de S-poal en de reade testlieding is ferbûn mei de D-poal. Fanwegen ferskillende testbetingsten is de mjitten RDS (oan) wearde heger dan de typyske wearde jûn yn 'e hantlieding.
OerMOSFET
De transistor hat N-type kanaal, dus it wurdt N-kanaal neamdMOSFET,ofNMOS. P-kanaal MOS (PMOS) FET bestiet ek, dat is in PMOSFET gearstald út in licht doped N-type BACKGATE en in P-type boarne en drain.
Nettsjinsteande it N-type of P-type MOSFET, it wurkprinsipe is yn wêzen itselde. MOSFET kontrolearret de stroom by de drain fan 'e útfierterminal troch de spanning oanbrocht op' e poarte fan 'e ynfierterminal. MOSFET is in spanning-kontrolearre apparaat. It kontrolearret de skaaimerken fan it apparaat fia de spanning tapast oan de poarte. It feroarsaket net de lading opslach effekt feroarsake troch de basis hjoeddeistige as in transistor wurdt brûkt foar it wikseljen. Dêrom, by it wikseljen fan applikaasjes,MOSFETsmoatte oerskeakelje flugger as transistors.
De FET kriget syn namme ek fan it feit dat syn ynfier (neamd de poarte) ynfloed hat op 'e stroom dy't troch de transistor streamt troch in elektrysk fjild op in isolearjende laach te projektearjen. Yn feite streamt gjin stroom troch dizze isolator, dus de GATE-stream fan 'e FET-buis is heul lyts.
De meast foarkommende FET brûkt in tinne laach silisium dioxide as in isolator ûnder de GATE.
Dit type transistor hjit in metaal okside semiconductor (MOS) transistor, of, metaal okside semiconductor fjild effekt transistor (MOSFET). Om't MOSFET's lytser en effisjinter binne, hawwe se bipolêre transistors ferfongen yn in protte tapassingen.
Post tiid: Nov-10-2023
