By it ûntwerpen fan in skeakeljen Netzteil of motor drive circuit brûkendMOSFETs, faktoaren lykas de op-resistinsje, maksimale spanning en maksimale stroom fan 'e MOS wurde algemien beskôge.
MOSFET buizen binne in soarte fan FET dat kin wurde fabrisearre as ferbettering of útputting type, P-kanaal of N-kanaal foar in totaal fan 4 soarten. enhancement NMOSFETs en enhancement PMOSFETs wurde algemien brûkt, en dizze twa wurde meastal neamd.
Dizze twa wurde faker brûkt is NMOS. de reden is dat de conductive ferset is lyts en maklik te meitsjen. Dêrom wurdt NMOS meastentiids brûkt yn it wikseljen fan macht oanbod en motor drive applikaasjes.
Binnen de MOSFET wurdt in thyristor pleatst tusken de drain en de boarne, wat tige wichtich is foar it riden fan induktive loads lykas motors, en is allinich oanwêzich yn in inkele MOSFET, net normaal yn in yntegreare circuitchip.
Parasitêre kapasitânsje bestiet tusken de trije pins fan 'e MOSFET, net dat wy it nedich binne, mar troch beheiningen fan it produksjeproses. De oanwêzigens fan parasitêre kapasitânsje makket it omslachtiger by it ûntwerpen of selektearjen fan in bestjoerderkring, mar it kin net foarkommen wurde.
De wichtichste parameters fanMOSFET
1, iepen spanning VT
Iepen spanning (ek bekend as de drompel spanning): sadat de poarte spanning nedich om te begjinnen mei it foarmjen fan in conductive kanaal tusken de boarne S en drain D; standert N-kanaal MOSFET, VT giet oer 3 ~ 6V; fia prosesferbetterings kin de MOSFET VT-wearde wurde fermindere nei 2 ~ 3V.
2, DC input ferset RGS
De ferhâlding fan 'e spanning tafoege tusken de poarte boarne poal en de poarte hjoeddeistige.
3. Drain boarne ôfbraak BVDS voltage.
Under de betingst fan VGS = 0 (ferbettere), yn it proses fan it fergrutsjen fan de drain-boarne spanning, ID nimt ta skerp as de VDS wurdt neamd de drain-boarne ôfbraak voltage BVDS, ID nimt ta skerp fanwege twa redenen: (1) lawine ôfbraak fan de útputting laach tichtby de drain, (2) penetraasje ôfbraak tusken de drain en boarne peallen, guon MOSFETs, dy't hawwe in koartere grêft lingte, fergrutsje de VDS sadat de drain laach yn de drain regio wurdt útwreide nei de boarne regio, it meitsjen fan it kanaal lingte is nul, dat is, te produsearje in drain-boarne penetraasje, penetraasje, de measte fan 'e dragers yn' e boarne regio sil direkt wurde oanlutsen troch it elektryske fjild fan 'e útputting laach nei de drain regio, resultearret yn in grutte ID .
4, poarte boarne ôfbraak voltage BVGS
As de poartespanning wurdt ferhege, wurdt de VGS as de IG ferhege wurdt fan nul de poarteboarne-ôfbraakspanning BVGS neamd.
5,Low frekwinsje transconductance
As VDS in fêste wearde is, wurdt de ferhâlding fan 'e mikrofariaasje fan' e drainstream nei de mikrofariaasje fan 'e poarteboarnespanning dy't de feroaring feroarsaket, transkonduktânsje neamd, wat it fermogen fan 'e poarteboarnespanning reflektearret om de drainstream te kontrolearjen, en is in wichtige parameter dy't karakterisearret de amplification kapasiteit fan deMOSFET.
6, on-resistance RON
On-resistance RON toant it effekt fan VDS op ID, is it omkearde fan 'e helling fan' e tangens line fan 'e drain skaaimerken op in bepaald punt, yn' e sêding regio, ID hast net feroaret mei de VDS, RON is in hiel grut wearde, yn 't algemien yn' e tsientallen kilo-Ohms oant hûnderten kilo-Ohms, om't yn digitale circuits, MOSFET's faak wurkje yn 'e steat fan' e conductive VDS = 0, dus op dit punt kin de op-resistinsje RON wurde benadere troch de oarsprong fan de RON te approximate, foar algemiene MOSFET, RON wearde binnen in pear hûndert ohm.
7, inter-poal capacitance
Interpolar capacitance bestiet tusken de trije elektroden: gate boarne capacitance CGS, gate drain capacitance CGD en drain boarne capacitance CDS-CGS en CGD is oer 1 ~ 3pF, CDS is oer 0.1 ~ 1pF.
8,Low frekwinsje noise faktor
Lûd wurdt feroarsake troch ûnregelmjittichheden yn 'e beweging fan dragers yn' e pipeline. Fanwegen syn oanwêzigens komme ûnregelmjittige spannings- of aktuele fariaasjes foar by de útfier, sels as d'r gjin sinjaal wurdt levere troch de fersterker. Lûdprestaasjes wurde meastentiids útdrukt yn termen fan de lûdsfaktor NF. De ienheid is desibel (dB). Hoe lytser de wearde, hoe minder lûd de buis produseart. De leechfrekwinsje-lûdfaktor is de lûdsfaktor mjitten yn it leechfrekwinsjeberik. De noise faktor fan in fjild effekt buis giet oer in pear dB, minder as dy fan in bipolar triode.
Post tiid: Apr-24-2024
