As wikseljende eleminten ferskine MOSFET en IGBT faak yn elektroanyske circuits. Se binne ek ferlykber yn uterlik en karakteristike parameters. Ik leau dat in protte minsken har ôffreegje wêrom't guon circuits MOSFET moatte brûke, wylst oaren dat dogge. IGBT?
Wat is it ferskil tusken harren? Folgjende,Olukeysil jo fragen beäntwurdzje!
Wat is aMOSFET?
MOSFET, de folsleine Sineeske namme is metaal-okside semiconductor fjild effekt transistor. Omdat de poarte fan dizze fjild effekt transistor wurdt isolearre troch in isolearjende laach, it wurdt ek neamd in isolearre poarte fjild effekt transistor. MOSFET kin wurde ferdield yn twa soarten: "N-type" en "P-type" neffens de polariteit fan syn "kanaal" (wurkjende drager), meastal ek neamd N MOSFET en P MOSFET.
De MOSFET sels hat in eigen parasitêre diode, dy't brûkt wurdt om te foarkommen dat de MOSFET útbaarnt as VDD te folle spanning is. Want foardat de oerspanning skea feroarsaket oan 'e MOSFET, brekt de diode earst omkeard ôf en rjochtet de grutte stroom nei de grûn, sadat de MOSFET net útbaarnd wurdt.
Wat is IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is in gearstald semiconductor-apparaat gearstald út in transistor en in MOSFET.
De sirkelsymboalen fan IGBT binne noch net ferienige. By it tekenjen fan it skematyske diagram wurde de symboalen fan triode en MOSFET oer it generaal liend. Op dit stuit kinne jo beoardielje oft it IGBT of MOSFET is fan it model markearre op it skematyske diagram.
Tagelyk moatte jo ek omtinken jaan oan oft de IGBT in lichemsdiode hat. As it net op 'e foto markearre is, betsjut dit net dat it net bestiet. Behalven as de offisjele gegevens spesifyk oars oanjaan, is dizze diode oanwêzich. De lichemsdiode yn 'e IGBT is net parasitêr, mar is spesjaal ynsteld om de kwetsbere omkearspanning fan' e IGBT te beskermjen. It wurdt ek wol FWD (freewheeling diode) neamd.
De ynterne struktuer fan 'e twa is oars
De trije poalen fan MOSFET binne boarne (S), drain (D) en poarte (G).
De trije peallen fan IGBT binne samler (C), emitter (E) en poarte (G).
In IGBT wurdt konstruearre troch it tafoegjen fan in ekstra laach oan 'e drain fan in MOSFET. Har ynterne struktuer is as folget:
De tapassingsfjilden fan 'e twa binne oars
De ynterne struktueren fan MOSFET en IGBT binne oars, wat har tapassingsfjilden bepaalt.
Troch de struktuer fan MOSFET kin it meastentiids in grutte stroom berikke, dy't KA berikke kin, mar de betingst foar spanningsweerstân is net sa sterk as IGBT. De wichtichste tapassingsgebieten binne it wikseljen fan macht foarrieden, ballasten, hege-frekwinsje ynduksje ferwaarming, hege-frekwinsje inverter welding masines, kommunikaasje macht foarrieden en oare hege-frekwinsje macht oanbod fjilden.
IGBT kin produsearje in soad macht, stroom en spanning, mar de frekwinsje is net te heech. Op it stuit kin de hurde skeakelsnelheid fan IGBT 100KHZ berikke. IGBT wurdt in soad brûkt yn welding masines, inverters, frekwinsje converters, electroplating electrolytic macht foarrieden, ultrasone induction ferwaarming en oare fjilden.
Haadfunksjes fan MOSFET en IGBT
MOSFET hat de skaaimerken fan hege input impedance, flugge switching snelheid, goede termyske stabiliteit, spanning control current, ensfh Yn it circuit, it kin brûkt wurde as fersterker, elektroanyske switch en oare doelen.
As in nij soarte fan elektroanysk semiconductor apparaat, IGBT hat de skaaimerken fan hege ynfier impedance, lege spanning kontrôle macht konsumpsje, ienfâldige kontrôle circuit, hege spanning ferset, en grutte hjoeddeistige tolerânsje, en is in soad brûkt yn ferskate elektroanyske circuits.
It ideale lykweardige circuit fan IGBT wurdt werjûn yn 'e figuer hjirûnder. IGBT is eins in kombinaasje fan MOSFET en transistor. MOSFET hat it neidiel fan hege op-resistinsje, mar IGBT oerwint dit tekoart. IGBT hat noch altyd lege oan-ferset by hege spanning. .
Yn 't algemien is it foardiel fan MOSFET dat it goede hege frekwinsje skaaimerken hat en kin operearje op in frekwinsje fan hûnderten kHz en oant MHz. It neidiel is dat de op-ferset grut is en it enerzjyferbrûk is grut yn hege spanning en hege aktuele situaasjes. IGBT docht goed yn situaasjes mei lege frekwinsje en hege macht, mei lytse on-resistance en hege wjerstân spanning.
Kies MOSFET of IGBT
Yn it sirkwy, of MOSFET te kiezen as de macht switch buis of IGBT is in fraach dy't yngenieurs faak tsjinkomme. As faktoaren lykas de spanning, stroom en skeakelkrêft fan it systeem yn rekken brocht wurde, kinne de folgjende punten gearfette wurde:
Minsken freegje faaks: "Is MOSFET of IGBT better?" Yn feite is der gjin goed of min ferskil tusken de twa. It wichtichste is om har eigentlike tapassing te sjen.
As jo noch fragen hawwe oer it ferskil tusken MOSFET en IGBT, kinne jo kontakt opnimme mei Olukey foar details.
Olukey distribuearret benammen WINSOK medium en lege spanning MOSFET produkten. Produkten wurde in soad brûkt yn militêre yndustry, LED / LCD-bestjoerderboards, motorbestjoerderboerden, snelle opladen, elektroanyske sigaretten, LCD-monitors, stroomfoarsjenningen, lytse húshâldlike apparaten, medyske produkten, en Bluetooth-produkten. Elektroanyske weagen, elektroanika foar auto's, netwurkprodukten, húshâldlike apparaten, kompjûterperifere en ferskate digitale produkten.
Post tiid: Dec-18-2023
