Produksjemetoade fan MOSFET-rydkring mei hege krêft

D'r binne twa haadoplossingen:

Ien is in gebrûk in tawijd driver chip te riden de MOSFET, of it brûken fan flugge photocouplers, transistors foarmje in circuit te riden de MOSFET, mar de earste soarte fan oanpak fereasket de foarsjenning fan in ûnôfhinklike Netzteil; it oare type pulstransformator om de MOSFET te riden, en yn 'e puls-drive-sirkwy, hoe't jo de skeakelfrekwinsje fan' e driuwsirkwy kinne ferbetterje om de rydkapasiteit te fergrutsjen, sa fier mooglik, om it oantal komponinten te ferminderjen, is de driuwende needsaak oplosse dehjoeddeistige Problemen.

It earste type drive skema, heal-brêge fereasket twa ûnôfhinklike macht supplies; folsleine brêge fereasket trije ûnôfhinklike macht foarrieden, sawol heal-brêge en folsleine brêge, tefolle komponinten, net befoarderlik foar kostenreduksje.

It twadde type rydprogramma, en it oktroai is de tichtste foarôfgeande keunst foar de útfiningsnamme "in hege krêftMOSFET drive circuit" patint (oanfraach nûmer 200720309534. 8), it oktroai foegje allinich in ûntladingsferset ta om de poarteboarne fan MOSFET-lading mei hege krêft frij te litten, om it doel fan ôfsluten te berikken, de fallende râne fan it PWM-sinjaal is grut. fallende râne fan de PWM sinjaal is grut, dat sil liede ta trage shutdown fan de MOSFET, macht ferlies is hiel grut;

Dêrnjonken is it oktroaiprogramma MOSFET-wurk gefoelich foar ynterferinsje, en de PWM-kontrôle-chip moat in grutte útfierkrêft hawwe, wêrtroch't de chiptemperatuer heech is, wat it libben fan 'e chip beynfloedet. Ynhâld fan 'e útfining It doel fan dit nutsmodel is om in MOSFET-drive-sirkwy mei hege krêft te leverjen, stabiler en nul te wurkjen om it doel fan dizze technyske oplossing fan dit nutsmodel útfining te berikken - in MOSFET-rydkring mei hege krêft, de sinjaalútfier fan de PWM kontrôle chip is ferbûn mei de primêre puls transformator, de earste útgong of de sekundêre pulstransformator is ferbûn mei de earste MOSFET-poarte, de twadde útfier fan 'e sekundêre pulstransformator is ferbûn mei de earste MOSFET-poarte, de twadde útfier fan 'e sekundêre pulstransformator is ferbûn mei de earste MOSFET-poarte. De earste útfier fan 'e sekundêre pulstransformator is ferbûn mei de poarte fan' e earste MOSFET, de twadde útfier fan 'e sekundêre pulstransformator is ferbûn mei de poarte fan 'e twadde MOSFET, karakterisearre troch dat de earste útfier fan 'e sekundêre pulstransformator ek ferbûn is nei de earste discharge transistor, en de twadde útfier fan de puls transformator sekundêr is ek ferbûn mei de twadde discharge transistor. De primêre kant fan 'e pulstransformator is ek ferbûn mei in enerzjyopslach- en frijlittingskring.

De enerzjy opslach release circuit omfiemet in wjerstannen, in capacitor en in diode, de wjerstân en de capacitor binne ferbûn yn parallel, en de earder neamde parallel circuit is ferbûn yn searje mei de diode. It nutsmodel hat in geunstich effekt. nivo, de earste MOSFET en de twadde MOSFET kinne fluch ûntslein wurde om de shutdown-snelheid fan 'e MOSFET te ferbetterjen, en it MOSFET-ferlies te ferminderjen. It sinjaal fan' e PWM-kontrôle chip is ferbûn mei de sinjaal fersterking MOSFET tusken de primêre útfier en de puls transformator primêre, dat kin brûkt wurde foar sinjaal amplification. De sinjaalútfier fan 'e PWM-kontrôlechip en de primêre pulstransformator binne ferbûn mei in MOSFET foar sinjaalfersterking, wat it driuwende fermogen fan it PWM-sinjaal fierder kin ferbetterje.

De primêre pulstransformator is ek ferbûn mei in enerzjyopslach-releasesirkwy, as it PWM-sinjaal op in leech nivo is, makket it enerzjyopslach-releasekring de opsleine enerzjy frij yn 'e pulstransformator as de PWM op in heech nivo is, en soarget derfoar dat de poarte boarne fan de earste MOSFET en de twadde MOSFET is ekstreem leech, dat spilet in rol yn it foarkommen fan ynterferinsje.

Yn in spesifike ymplemintaasje is in leechmacht MOSFET Q1 foar sinjaalfersterking ferbûn tusken de sinjaalútfierterminal A fan 'e PWM-kontrôlechip en de primêre fan 'e pulstransformator Tl, de earste útfierterminal fan 'e sekundêre fan 'e pulstransformator is ferbûn mei de poarte fan 'e earste MOSFET Q4 fia de diode D1 en de driuwende wjerstân Rl, de twadde útgongsterminal fan' e sekundêre fan 'e pulstransformator is ferbûn mei de poarte fan' e twadde MOSFET Q5 fia de diode D2 en de driuwende wjerstân R2, en de earste útfier terminal fan de sekundêre fan de puls transformator is ek ferbûn mei de earste drain triode Q2, en de twadde drain triode Q3 is ek ferbûn mei de twadde drain triode Q3. MOSFET Q5, de earste útfier terminal fan de puls transformator sekundêr is ek ferbûn mei in earste drain transistor Q2, en de twadde útfier terminal fan de puls transformator sekundêr is ek ferbûn mei in twadde drain transistor Q3.

De poarte fan de earste MOSFET Q4 is ferbûn mei in drain wjerstân R3, en de poarte fan de twadde MOSFET Q5 is ferbûn mei in drain wjerstân R4. de primêre fan 'e pulstransformator Tl is ek ferbûn mei in enerzjyopslach- en frijlittingskring, en it enerzjyopslach- en frijlittingskring omfettet in wjerstân R5, in kondensator Cl, en in diode D3, en de wjerstân R5 en de kondensator Cl binne ferbûn yn parallel, en de earder neamde parallel circuit is ferbûn yn searje mei de diode D3. de PWM-sinjaalútfier fan 'e PWM-kontrôlechip is ferbûn mei de MOSFET Q2 mei lege macht, en de MOSFET Q2 mei lege macht is ferbûn mei it sekundêre fan' e pulstransformator. wurdt fersterke troch de leechmacht MOSFET Ql en útfier nei de primêre fan 'e pulstransformator Tl. As it PWM-sinjaal heech is, jouwe de earste útfierterminal en de twadde útfierterminal fan 'e sekundêre fan' e pulstransformator Tl hege nivo-sinjalen út om de earste MOSFET Q4 en de twadde MOSFET Q5 te fieren.

As it PWM-sinjaal leech is, binne de earste útfier en de twadde útfier fan 'e pulstransformator Tl sekundêre útfier leechnivo-sinjalen, de earste drain-transistor Q2 en de twadde drain-transistor Q3-gelieding, de earste MOSFETQ4-poarteboarnekapasitânsje troch de drain-wjerstân R3, de earste drain-transistor Q2 foar ûntlading, de twadde MOSFETQ5-poarteboarnekapasitânsje troch de drain-wjerstân R4, de twadde drain transistor Q3 foar ûntslach, de twadde MOSFETQ5 poarte boarne capacitance troch de drain wjerstân R4, de twadde drain transistor Q3 foar ûntslach, de twadde MOSFETQ5 gate source capacitance troch de drain wjerstân R4, de twadde drain transistor Q3 foar discharge. De twadde MOSFETQ5-poarte-boarnekapasitânsje wurdt ûntslein troch de drain-wjerstân R4 en de twadde drain-transistor Q3, sadat de earste MOSFET Q4 en de twadde MOSFET Q5 flugger kinne wurde útskeakele en it krêftferlies kin wurde fermindere.

As it PWM-sinjaal leech is, makket it opsleine enerzjy-frijlittingscircuit gearstald út wjerstân R5, kondensator Cl en diode D3 de opsleine enerzjy frij yn 'e pulstransformator as de PWM heech is, en soarget derfoar dat de poarteboarne fan' e earste MOSFET Q4 en de twadde MOSFET Q5 is ekstreem leech, dat tsjinnet it doel fan anty-ynterferinsje. Diode Dl en diode D2 fiere de útfierstrom unidirectionally, sadat de kwaliteit fan 'e PWM-golffoarm garandearret, en tagelyk spilet it ek de rol fan anty-ynterferinsje yn in bepaalde mate.